| 三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究 |
| |
| 引用本文： | 李凡超,柳林,乔洪冰,戚顺新,陈炳刚,陈学刚.三联吡啶修饰的新型苯并二噻吩电子给-受体分子的合成及性能研究[J].合成化学,2016,24(5):374-379. |
| |
| 作者姓名： | 李凡超 柳林 乔洪冰 戚顺新 陈炳刚 陈学刚 |
| |
| 作者单位： | 青岛科技大学 高分子科学与工程学院 橡塑材料与工程教育部重点实验室，山东 青岛 266042 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(20804022)；山东省自然科学基金资助项目(ZR2011BMO01)；国家级大学生创新创业训练计划项目(201510426014) |
| |
| 摘 要： | 以4,8-二酮苯并［1,2-b：4,5-b′］二噻吩为原料，合成了两种新型的2,2′ ∶6′,2″-三联吡啶修饰的苯并二噻吩电子给-受体结构分子(M1和M2)，其结构经1H NMR, 13C NMR, IR和元素分析表征。用UV-Vis, FL, TGA和CV研究了M1和M2的性能。结果表明：M1和M2均具有良好的热稳定性，热分解温度(T5)分别为335 ℃和430 ℃。由于电子给-受体结构的存在，M1和M2均表现出明显的分子内电荷转移跃迁(ICT)，其最大吸收峰分别为446 nm和468 nm，荧光发射峰分别为517 nm和552 nm；起始还原电位分别为-0.57 eV和-0.62 eV，起始氧化电位分别为0.69 eV和0.87 eV。
|
| 关 键 词： | 2 2&prime ：6&prime 2&Prime -三联吡啶 苯并［1 2-b：4 5-b&prime ］二噻吩 电子给-受体 合成 性能 |
| 收稿时间： | 2016-01-07 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《合成化学》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《合成化学》下载免费的PDF全文 |
|
