| 存储器硬X射线损伤效应实验 |
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| 引用本文： | 郭红霞,韩福斌,陈雨生,罗剑辉,龚建成,谢亚宁,黄宇营,何伟,胡天斗.存储器硬X射线损伤效应实验[J].中国物理 C,2003,27(Z1):5-9. |
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| 作者姓名： | 郭红霞 韩福斌 陈雨生 罗剑辉 龚建成 谢亚宁 黄宇营 何伟 胡天斗 |
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| 作者单位： | 1 西北核技术研究所 西安 710024;2 中国科学院高能物理研究所 北京 100039 |
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| 摘 要： | 文章给出了大规模集成电路浮栅ROM,SRAM器件在钴源和北京同步辐射装置BSRF(Beijing Synchrotron Radiation Facility)3W1白光束线辐照的实验结果;比较了其两种辐照源的实验结果及其损伤异同性.通过实验在线测得位错误数随总剂量的变,给出基相同累积剂量时X射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等关系.获得了浮栅ROM器件X射线剂量增强因子,给出不同集成度SRAM器件的X射线辐射加固技术研究有重要价值.
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| 关 键 词： | 浮栅ROM SRAM 剂量增强效应 同步辐射 |
| 收稿时间： | 2003-11-21 |
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