首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      


Cover Picture: Atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) grown bi‐layer graphene transistor characteristics at high temperature (Phys. Status Solidi RRL 7/2014)
Authors:Ramy M Qaisi  Casey E Smith  Muhammad M Hussain
Abstract:
Keywords:
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号