| 一种低噪声SiGe微波单片放大电路 |
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| 引用本文： | 鲁亚诗,张伟,李高庆,刘道广,李希有,鲁勇,刘爱华,张翔.一种低噪声SiGe微波单片放大电路[J].微电子学,2006,36(5):588-590. |
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| 作者姓名： | 鲁亚诗 张伟 李高庆 刘道广 李希有 鲁勇 刘爱华 张翔 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子研究所,北京,100084
2. 模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 中电科技集团公司十三所仪表室韩利华等同志帮助进行了S参数测试,原五专业部王于辉、刘红兵等同志协助完成了MMIC器件的装架和测试,在此深表谢意. |
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| 摘 要： | 介绍了一种利用SiGe技术制作的低噪声SiGe微波单片放大电路(MMIC)。该电路以达林顿结构的形式级联,由两个异质结双极型晶体管(HBT)和4个电阻组成;HBT采用准自对准结构,其SiGe基区为非选择性外延。在1 GHz频率下,电路噪声为1.59 dB,功率增益为14.3 dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0。
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| 关 键 词： | SiGeHBT 达林顿结构 微波单片集成电路 硅化物 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0588-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-21 |
| 修稿时间： | 2006-03-212006-07-03 |
A Low Noise Darlington SiGe Microwave Monolithic Integrated Circuit |
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| LU Ya-shi,ZHANG Wei,LI Gao-qing,LIU Dao-guang,LI Xi-you,LU Yong,LIU Ai-hua,ZHANG Xiang.A Low Noise Darlington SiGe Microwave Monolithic Integrated Circuit[J].Microelectronics,2006,36(5):588-590. |
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| Authors: | LU Ya-shi ZHANG Wei LI Gao-qing LIU Dao-guang LI Xi-you LU Yong LIU Ai-hua ZHANG Xiang |
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| Institution: | 1. Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing I00084, P. R. China; 2. National Loboratory of Analog Integrated Circuits ; Sichuan Institute of Solid-State Circuits, CETC, Chongqing 400060, P. R. China |
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| Abstract: | A low noise microwave monolithic integrated circuit(MMIC)using Darlington configuration SiGe hetero-junction bipolar transistors(HBT's)is presented. The circuit consists of two SiGe HBTs and four resistors.It is fabricated in a quasi-self-aligned process,with a non-selectively grown epitaxial SiGe base.The cutoff frequency of HBTs is 10.9 GHz and 9.2 GHz,respectively.The MMIC is measured to have a noise figure of 1.59 dB,a power gain of 14.3 dB,and an input and output VSWR of 1.6 and 2.0 at 1 GHz. |
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| Keywords: | SiGe HBT Darlington configuration Microwave monolithic IC Silicide |
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