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Al_xGa_(1-x)As/GaAs 异质结界面上二维电子气量子霍耳效应的测量
作者姓名:童华  江丕桓  周均铭  黄绮
作者单位:中国科学院半导体物理研究所,中国科学院半导体物理研究所,凝聚态和辐射物理分中心CCAST(World Lab.),中国科学院物理研究所 北京,北京
摘    要:我们利用分子束外延技术生长的 Al_xGa_(1-x)As/GaAs 调制掺杂异质结材料做成霍耳测量样品,在 T=2K 的温度下及 B=4~5T 的磁场中进行了测量,得到 i=2时的量子霍耳电阻 R_H=12906.4±0.1Ω,总误差小于8ppm.

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