|
|||||
|
|
| 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应 | |
| 引用本文： | 柯炼,林峰,张胜坤,谌达宇,陆昉,王迅.导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应[J].半导体学报,1998,19(1):66-771. |
| 作者姓名： | 柯炼 林峰 张胜坤 谌达宇 陆昉 王迅 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ． |
| 关 键 词： | 锗 硅 单量子阱 退火效应 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 | |