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四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟
引用本文:张海斌,沈定中,任国浩,邓群.四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟[J].人工晶体学报,2003,32(5):455-459.
作者姓名:张海斌  沈定中  任国浩  邓群
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;通用电器公司中国研发中心,上海,200555
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No. 59732040)
摘    要:本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生"W"形固液界面.通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体.对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数.

关 键 词:四方晶系晶体  Bridgman法  导热系数  
文章编号:1000-985X(2003)05-0455-05
修稿时间:2003年4月28日

Numerical Simulation of Bridgman Method for Tetragonal System
ZHANG Hai-bin,SHEN Ding-zhong,REN Guo-hao,DENG Qun.Numerical Simulation of Bridgman Method for Tetragonal System[J].Journal of Synthetic Crystals,2003,32(5):455-459.
Authors:ZHANG Hai-bin  SHEN Ding-zhong  REN Guo-hao  DENG Qun
Abstract:Bridgman method for tetragonal system was investigated by numerical simulation. If the conductivity of melt lies in middle segment between the conductivity along transverse direction of crystal and the conductivity along longitudinal direction of crystal, there would be a ' W'-shaped solid-liquid interface, and the inferface would be much flatter. In this case, it is easy to grow high quality crystal. To the growth of low and middle class crystal, the conductivity along transverse direction of crystal should be bigger than that along longitudinal direction of crystal.
Keywords:tetragonal system  Bridgman method  conductivity
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