| RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究 |
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| 引用本文： | 蔡宏琨,张德贤,何青,赵飞,陶科,席强,孙云.RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究[J].人工晶体学报,2007,36(3):545-549. |
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| 作者姓名： | 蔡宏琨 张德贤 何青 赵飞 陶科 席强 孙云 |
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| 作者单位： | 南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系,天津,300071;南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系,天津,300071;南开大学信息技术科学学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);天津市科技发展计划公关培育项目 |
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| 摘 要： | 采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.
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| 关 键 词： | X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜 氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜 晶粒尺寸 |
| 文章编号： | 1000-985X（2007）03-0545-05 |
| 修稿时间： | 2006-11-13 |
Study of XRD on Microcrystalline Silicon Thin Films Prepared by RF-PECVD |
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| CAI Hong-kun,ZHANG De-xian,HE Qing,ZHAO Fei,TAO Ke,XI Qiang,SUN Yun.Study of XRD on Microcrystalline Silicon Thin Films Prepared by RF-PECVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2007,36(3):545-549. |
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| Authors: | CAI Hong-kun ZHANG De-xian HE Qing ZHAO Fei TAO Ke XI Qiang SUN Yun |
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| Institution: | 1. Institute of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique, College of Information Technical Science, Nankai University, Tianjin 300071, China ;2. Department of Electronic Science and Technology, College of Information Technical Science, Nankai University,Tianjin 300071, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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