| MoS2和MoTe2同质结和异质结中的表面电势排列 |
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| 引用本文： | 江聪,张帅君,李玉莹,王文静,夏辉,李天信.MoS2和MoTe2同质结和异质结中的表面电势排列[J].红外与毫米波学报,2023,42(6):742-746. |
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| 作者姓名： | 江聪 张帅君 李玉莹 王文静 夏辉 李天信 |
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| 作者单位： | 上海理工大学 理学院，上海200093;中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083;中国科学院大学，北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083;上海师范大学 数理学院，上海200234,上海理工大学 理学院，上海200093;中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083;中国科学院大学，北京100049,中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海200083;中国科学院大学，北京100049 |
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| 基金项目： | Supported by the National Natural Science Foundation of China （11991063， 62004207， 61725505， 62104118）； the Shanghai Science and Technology Committee （2019SHZDZX01， 19XD1404100， 20YF1455900， 20ZR1474000）； the Strategic Priority Research Program of Chinese Academy of Sciences （XDB43010200）； the Youth Innovation Promotion Association CAS （2018276） |
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| 摘 要： | 过渡金属硫族化合物（TMD）薄层仅改变几何形状（如层厚）就可调节带隙、电子亲和势和费米能级，使器件设计更灵活。但因缺乏费米能级排列信息，TMD同质/异质结器件常因未知的能带弯曲而偏离预期。利用扫描开尔文探针显微镜（SKPM）表征了TMD同质/异质结，结果显示，MoS2和MoTe2同质结的费米能级随层厚增加向本征费米能级移动（背景掺杂浓度降低），而MoTe2/MoS2异质结中探测到宽耗尽区和强光响应，同时给出表面污染（分子尺度）对单层TMD表面电势的影响。上述发现将在器件设计中帮助精准堆叠范德华（vdW）层。
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| 关 键 词： | 表面电势 过渡金属硫族化合物（TMD） 扫描开尔文探针显微镜（SKPM） 层厚 |
| 收稿时间： | 2023/2/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/10/26 0:00:00 |
Surface potential alignment in MoS2 and MoTe2 homo- and hetero-junctions |
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| JIANG Cong,ZHANG Shuai-Jun,LI Yu-Ying,WANG Wen-Jing,XIA Hui and LI Tian-Xin.Surface potential alignment in MoS2 and MoTe2 homo- and hetero-junctions[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2023,42(6):742-746. |
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| Authors: | JIANG Cong ZHANG Shuai-Jun LI Yu-Ying WANG Wen-Jing XIA Hui and LI Tian-Xin |
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