| 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质 |
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| 引用本文： | 程珊华,宁兆元,黄峰. 等离子体增强反应蒸发沉积的氟掺杂氧化铟薄膜的性质[J]. 物理学报, 2002, 51(3): 668-673 |
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| 作者姓名： | 程珊华 宁兆元 黄峰 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理系,苏州215006 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :10 175 048)资助的课题~ |
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| 摘 要： | 采用直流辉光CF4O2等离子体增强反应蒸发方法沉积了氟掺杂氧化铟透明导电薄膜,经过真空退火处理薄膜的电阻率达到18×10-3Ω·cm,透光率高于80%.研究了掺氟量和退火温度对薄膜电阻率和透光率的影响,结果表明:氟的掺入增加了载流子浓度,使得薄膜的电阻率明显下降,而薄膜的透光率变差,但是可以通过真空退火处理使其得到显著的改善,掺氟量越大需要的退火温度越高.X射线衍射分析说明,氟的掺入使薄膜的无序度增加;退火处理提高了薄膜的结晶状况,改善了薄膜的透光性能,同时也没有增加薄膜的电阻率.关键词：透明导电薄膜氟掺杂等离子体增强反应蒸发沉积
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| 关 键 词： | 透明导电薄膜 氟掺杂 等离子体增强反应蒸发沉积 |
| 收稿时间： | 2001-05-20 |
| 修稿时间： | 2001-05-20 |
Study on fluorine-doped indium oxide films deposited by plasma enhanced evaporating |
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| Cheng Shan-Hu,Ning Zhao-Yuan and Huang Feng. Study on fluorine-doped indium oxide films deposited by plasma enhanced evaporating[J]. Acta Physica Sinica, 2002, 51(3): 668-673 |
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| Authors: | Cheng Shan-Hu Ning Zhao-Yuan Huang Feng |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | conductive and transparent film fluorine-doping plasma enhanced evaporating |
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