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| Bi_4Ce_3O_(12)单晶的电子结构和光致发光过程 | |
| 作者姓名： | R.Moncorge G.Boulon |
| 作者单位： | 法国里昂大学光谱学和发光研究室(R.Moncorge)，法国里昂大学光谱学和发光研究室(G.Boulon) |
| 摘 要： | Ⅰ—实验数据 锗酸铋的吸收谱是由两个宽带所组成。一个比较强的位于2000(?)-3000(?)的紫外区。另一个比较弱,位于可见区。在主峰2800(?) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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