780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性 |
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引用本文: | 余金中,岩井莊八,青柳克信.780℃下液相外延生长周Al_xGa_(1-x)As的生长和掺杂特性[J].半导体学报,1985,6(2):123-127. |
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作者姓名: | 余金中 岩井莊八 青柳克信 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所
(余金中),日本国理化学研究所
(岩井莊八),日本国理化学研究所(青柳克信) |
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摘 要: | 我们研究了780℃下液相外延生长Al_xGa_(1-x)As的生长特性和掺杂特性.本文给出了各种不同x 值的Al_xGa_(1-x)As的生长溶液组分的经验公式,测定了不同x值时的生长速率及掺Mg、Ge、Te、Sn样品的载流子浓度同x值的依赖关系.
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