|
|||||
|
|
| 电场对半导体俄歇复合的影响 | |
| 作者姓名： | A.Haug |
| 作者单位： | 西德柏林工业大学理论物理第二研究所 |
| 摘 要： | 半导体的无辐射俄歇复合有时受电场的影响。不仅受外场而且也受内场(表面场,p-n结电场)的影响,因此我们计算了这种场(以均匀场处理)的影响。利用微扰理论,电场中Bloch电子是非微扰系统,而引起Auger跃迁的电子-电子相互作用被认 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |