| 应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备 |
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| 引用本文： | 陶凯,董业民,易万兵,王曦,邹世昌.应用于深亚微米DSOI器件的埋氧层的制备[J].半导体学报,2005,26(6):1187-1190. |
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| 作者姓名： | 陶凯 董业民 易万兵 王曦 邹世昌 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所，中国上海宏力半导体制造有限公司，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050中国上海宏力半导体制造有限公司，上海201203，上海201203，上海200050中国上海宏力半导体制造有限公司，上海201203，上海200050中国上海新傲科技有限公司，上海201821，上海200050中国上海宏力半导体制造有限公司，上海201203 |
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| 摘 要： | 利用低剂量、低能量的SIMOX（separation by implanted oxygen）图形化技术实现了深亚微米间隔埋氧层的制备．在二氧化硅掩膜尺寸为172nm的情况下，可以得到间隔为180nm的埋氧层．通过TEM（transmission electron microscope）观察发现埋层形貌完整、界面陡峭、无硅岛及其他缺陷．该结果为DSOI（dain/source on insulator）器件向更小尺寸发展奠定了工艺基础．
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| 关 键 词： | DSOI SIMOX 埋氧层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1187-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月20日 |
Patterned SIMOX Technique for Deep Sub-Micron DSOI Devices |
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| TAO Kai,DONG Yemin,Yi Wanbing,Wang Xi,Zou Shichang.Patterned SIMOX Technique for Deep Sub-Micron DSOI Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(6):1187-1190. |
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| Authors: | TAO Kai DONG Yemin Yi Wanbing Wang Xi Zou Shichang |
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| Abstract: | Buried oxide at deep sub-micron intervals is successfully fabricated by patterned SIMOX techniques with low dosage and low energy.The distance between the buried oxide layers can be controlled to 180nm when the length of the silicon dioxide mask is 172nm.Good shape and sharp interface are observed by TEM with no silicon islands and other defects.This technique strongly supports the development of deep sub-micron DSOI devices. |
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| Keywords: | DSOI SIMOX BOX |
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