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杂志ISSN号
赝三元热电烧结体材料制作技术的研究
作者姓名:
李将禄 刘薇
摘 要:
本文以区熔法生长的Bi2Te3-Sb2Se2Te3高估值系数赝三元半导体致冷晶体为原料,采用冷压成型,在380-440℃条件下,经5h烧结处理,可获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。这种材料从根本上克服了取向晶体沿生长轴方向发生劈裂和解理现象。
关 键 词:
烧结体材料 烧结 半导体晶体 致冷器 材料
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