陶瓷靶材对铁电薄膜的成分,结构和性能的影响 |
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作者姓名: | 黄龙波 李佐宜 |
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摘 要: | 本文研究了不同烧结温度的陶瓷靶材对溅射所得到的Pb(Zr,Ti)O3薄膜的成分、结构和性能的影响。结果表明,由1200℃时烧结的靶所制备的薄膜中PbO的含量偏低,而900℃时的薄膜中PbO的含量却大于1;由这两种靶材都获得了结晶性较好的多晶钙钛矿结构,但900℃时烧结的靶所制备的铁电薄膜的结晶性能更好,具有较好的铁电性能,其典型的矫顽场和剩余极化强度分别为73.2kV/cm和25.9μC/cm^2
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关 键 词: | 铁电薄膜 性能 靶材 结构 铁电陶瓷 |
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