| 一种同步流水线SRAM读写控制模型 |
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| 引用本文： | 李铁虎,黄丹,罗华军,祁宗.一种同步流水线SRAM读写控制模型[J].微电子学,2024,54(2):228-234. |
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| 作者姓名： | 李铁虎 黄丹 罗华军 祁宗 |
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| 作者单位： | 重庆高新区飞马创新研究院, 重庆 400000;重庆理工大学 两江人工智能学院, 重庆 401135;中国兵器科学研究院, 北京 100089 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(62004020)；重庆市教委科学技术研究项目(KJQN202101137) |
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| 摘 要： | 设计了一种同步流水线静态随机存储器读写控制系统的行为级模型。分析了存储器芯片的控制信号和工作时序要求,利用Verilog硬件描述语言对存储器芯片的读写系统进行了行为级建模。系统包括主机、总控制器和存储器三部分,其中总控制器又包括信号源发生器和数据收发控制器两个子模块。利用Modelsim软件对系统行为级模型进行了仿真验证,结果表明系统控制模型在非猝发(常规)、线性猝发、交织猝发三种工作模式下均可对存储器进行正确读写操作。该模型将主机端源控制信号数量减至最少,极大简化了读写控制流程；采用系统时钟双沿对数据采样传输,提升了系统的稳定性。
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| 关 键 词： | SRAM 读写控制系统 Verilog硬件描述语言 行为级模型 |
| 收稿时间： | 2021/10/22 0:00:00 |
Read-Write Control Model for Synchronous-Pipelined SRAM |
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| LI Tiehu,HUANG Dan,LUO Huajun,QI Zong.Read-Write Control Model for Synchronous-Pipelined SRAM[J].Microelectronics,2024,54(2):228-234. |
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| Authors: | LI Tiehu HUANG Dan LUO Huajun QI Zong |
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| Institution: | Chongqing High-Tech Zone Pegasus Innovation Institute, Chongqing 400000, P.R.China;School of Artificial Intelligence, Chongqing University of Technology, Chongqing 401135, P.R.China;Chinese Academy of Ordnance Sciences, Beijing 100089, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM read-write control system Verilog HDL behavioral model |
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