| 纳米晶非挥发性存储器研究进展 |
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| 引用本文： | 管伟华,刘明,龙世兵,李志刚,刘琦,胡媛,贾锐.纳米晶非挥发性存储器研究进展[J].微纳电子技术,2007,44(5):225-230. |
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| 作者姓名： | 管伟华 刘明 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,纳米加工与新器件集成技术实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。
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| 关 键 词： | 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器 |
| 文章编号： | 1671-4776(2007)05-0225-06 |
| 修稿时间： | 2006-12-13 |
Advances in Nanocrystal Nonvolatile Memory |
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| GUAN Wei-hua,LIU Ming,LONG Shi-bing,LI Zhi-gang,LIU Qi,HU Yuan,JIA Rui.Advances in Nanocrystal Nonvolatile Memory[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(5):225-230. |
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| Authors: | GUAN Wei-hua LIU Ming LONG Shi-bing LI Zhi-gang LIU Qi HU Yuan JIA Rui |
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| Institution: | Key Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Devices Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | The development and the basic working principle of nanocrystal nonvolatile memory are introduced.The different mechanisms of charge transportation are compared.The latest development and progress of nanocrystal nonvolatile memory on nanocrystal material design,nanocrystal formation,tunneling/control dielectric material engineering and novel device structure are systematically discussed.Future research direction of nanocrystal nonvolatile memory is given. |
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| Keywords: | nanocrystal nonvolatile memory discrete charge storage nanocrystal memory |
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