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一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器
引用本文:张红,高炜祺,张正璠,张官兴. 一种基于新型寄存器结构的逐次逼近A/D转换器[J]. 微电子学, 2006, 36(3): 337-339,343
作者姓名:张红  高炜祺  张正璠  张官兴
作者单位:1. 重庆邮电大学,重庆,400065
2. 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060
3. 西安电子科技大学,陕西,西安,710071
摘    要:介绍了一种10位CMOS逐次逼近型A/D转换器。在25 kSPS采样频率以下,根据模拟输入端输入的0~10 V模拟信号,通过逐次逼近逻辑,将其转化为10位无极性数字码。转换器的SAR寄存器结构采用了一种新的结构来实现D触发器。该转换器采用3μm CMOS工艺制作,信噪比为49 dB,积分非线性为±0.5 LSB。

关 键 词:A/D转换器  逐次逼近  寄存器
文章编号:1004-3365(2006)03-0337-03
收稿时间:2005-09-16
修稿时间:2005-09-162005-12-02

A Successive Approximation Analog-to-Digital Converter Based on a New Register Architecture
ZHANG Hong,GAO Wei-qi,ZHANG Zheng-fan,ZHANG Guan-xing. A Successive Approximation Analog-to-Digital Converter Based on a New Register Architecture[J]. Microelectronics, 2006, 36(3): 337-339,343
Authors:ZHANG Hong  GAO Wei-qi  ZHANG Zheng-fan  ZHANG Guan-xing
Abstract:
Keywords:A/D converter  Successive approximation  Register  
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