| 一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型 |
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| 引用本文： | 王浩,廖常俊,范广涵,刘颂豪,郑树文,李述体,郭志友,孙慧卿,陈贵楚,陈炼辉,吴文光,李华兵.一个实用的生产用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料Turbo-Disc MOCVD生长模型[J].人工晶体学报,2004,33(4):549-552. |
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| 作者姓名： | 王浩 廖常俊 范广涵 刘颂豪 郑树文 李述体 郭志友 孙慧卿 陈贵楚 陈炼辉 吴文光 李华兵 |
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| 作者单位： | 华南师范大学信息光电子学院,广州,510631 |
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| 摘 要： | 在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.
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| 关 键 词： | MOCVD Turbo-Disc 生长动力学 GaInP |
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