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| Si6N2团簇结构与性质的密度泛函理论研究 | |
| 引用本文： | 张材荣,陈玉红,蒲忠胜,王道斌,元丽华,许广济,陈宏善.Si6N2团簇结构与性质的密度泛函理论研究[J].原子与分子物理学报,2007,24(Z1):99-101. |
| 作者姓名： | 张材荣 陈玉红 蒲忠胜 王道斌 元丽华 许广济 陈宏善 |
| 作者单位： | 1. 兰州理工大学理学院,兰州,730050;兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室,兰州,730050 2. 兰州理工大学理学院,兰州,730050 3. 兰州理工大学有色金属合金及加工教育部重点实验室,兰州,730050 4. 西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;甘肃省自然科学基金;兰州理工大学校科研和教改项目 |
| 摘 要： | 用密度泛函理论(DFT)中的杂化密度泛函B3LYP方法,在6-31G(d)的水平上对Si6N2团簇的可能结构进行了几何结构优化和电子结构计算,得到了16个可能的异构体.Si6N2团簇的最稳定结构是有4个Si-N键和4个Si-Si键的三维结构.自然键轨道方法分析成键性质的结果表明,Si-N键中Si原子向N原子有较大的电荷转移,因此Si-N原子间有较强的电相互作用;最强的IR和Raman谱峰分别位于1359.14cm-1和1366.29cm-1处;并计算了Si6N2团簇的最稳定结构的极化率和超极化率. |
| 关 键 词： | 氮化硅 团簇 结构与性质 密度泛函理论 |
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