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| 金属硅化物 | |
| 引用本文： | 许振嘉. 金属硅化物[J]. 物理,1987,16(2). |
| 作者姓名： | 许振嘉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 硅与周期表上许多金属能形成金属硅化物[１－３］．近十年来，由于半导体科学技术的发展和要求，对金属硅化物的研究很活跃．微电子器件（ＬＳＩ，ＶＬＳＩ）的基本结构中含有大量的金属化系统，例如器件和单元的互连，硅与金属的接触[肖特基势垒（ＳＢ）和欧姆接触］和栅电极．据估计，每一片２５６ＫＭＯＳＲＡＭ就有５０万个左右的金属互连．一块中规模集成电路则平均有７０个左右的ＳＢ二极管和４００个左右的欧姆接触．这?... |
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