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| 4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究 | |
| 引用本文： | 吕红亮,张义门,张玉明.4H-SiC pn结型二极管击穿特性中隧穿效应影响的模拟研究[J].物理学报,2003,52(10):2541-2546. |
| 作者姓名： | 吕红亮 张义门 张玉明 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所，西安 710071 |
| 摘 要： | 基于4H-SiC材料特性，建立了4H-SiC pn结型二极管的击穿模型.该模型在碳化硅器件中引入 雪崩倍增效应和隧穿效应.利用该模型，分析了隧穿效应对器件击穿特性的影响；解释了不 同的温度和掺杂条件下，器件的击穿机理.该模型较好地反映了实际器件的击穿特性.
关键词：
4H-SiC
二极管
击穿特性
隧穿效应
碰撞离化
模型 |
| 关 键 词： | 4H-SiC 二极管 击穿特性 隧穿效应 碰撞离化 模型 |
| 文章编号： | 1000-3290/2003/52(10)/2541-06 |
| 收稿时间： | 2002-11-19 |
| 修稿时间： | 2002年11月19 |
The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junc tion diode |
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| Lü Hong-Liang,Zhang Yi-Men,Zhang Yu-Ming.The simulation study of the tunneling effect in the breakdown of 4H-SiC pn junc tion diode[J].Acta Physica Sinica,2003,52(10):2541-2546. | |
| Authors: | Lü Hong-Liang Zhang Yi-Men Zhang Yu-Ming |
| Abstract: | |
| Keywords: | silicon carbide pn diode breakdown tunneling effect impact ionizat ion model |
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