一种新型的自对准源漏接触技术 |
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引用本文: | 张琴,洪培真,崔虎山,卢一泓,贾宬,钟汇才.一种新型的自对准源漏接触技术[J].微纳电子技术,2014(5):328-332. |
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作者姓名: | 张琴 洪培真 崔虎山 卢一泓 贾宬 钟汇才 |
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作者单位: | 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心; |
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基金项目: | 国家科技重大专项资助项目(Y0GZ28X003) |
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摘 要: | 提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以在绝缘介质侧墙两旁形成一对金属的侧墙结构。这个侧墙连接底部的源漏区和上部的互联区,作为底层的金属接触引出。这个方法不仅减小了刻蚀接触孔的难度,且采用自对准的方法形成金属接触也减小了源漏接触的距离,提高了集成度。这项工艺集成技术尝试应用于0.5μm栅长MOSFET器件结构中,并仿真得到了良好的电学性能。
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关 键 词: | 自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 前栅工艺 后栅工艺 |
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