| 红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性 |
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| 引用本文： | 钟志亲,刘洪军,袁菁,王欧,刘畅,龚敏.红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性[J].光散射学报,2004,16(3):256-259. |
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| 作者姓名： | 钟志亲 刘洪军 袁菁 王欧 刘畅 龚敏 |
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| 作者单位： | 四川大学,物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,四川省,成都市,610064 |
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| 摘 要： | 本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。
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| 关 键 词： | 红外反射谱 峰位漂移 SiO2/6H-SiC 退火 |
| 文章编号： | 1004-5929(2004)03-0256-04 |
| 收稿时间： | 2004/3/12 |
| 修稿时间： | 2004年3月12日 |
Infrared Reflectance Spectroscopy Study of the SiO2 Film by Thermal Oxidation on 6H-SiC |
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| ZHONG Zhi-qin,LIU Hong-jun,YUAN Jing,WANG Ou,LIU Chang,GONG Min.Infrared Reflectance Spectroscopy Study of the SiO2 Film by Thermal Oxidation on 6H-SiC[J].Chinese Journal of Light Scattering,2004,16(3):256-259. |
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| Authors: | ZHONG Zhi-qin LIU Hong-jun YUAN Jing WANG Ou LIU Chang GONG Min |
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| Abstract: | Based on the fact that the position of infrared reflectance peak is related to the thickness and the density of the film,infrared reflectance spectra of SiO2 film thermally grown on SiC wafers at 1150℃ and annealed in 1h in different temperature in the atmosphere of N2,have been obtained.we studied the excursion of the peak around 1085cm~(-1) which can be used to monitor the density of the SiO2 film,The change of density showed the procedure of the diffusion of C and CO in SiO2 film while annealing. |
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| Keywords: | infrared reflectance spectra the shift of peak SiO_2/6H-SiC annealling |
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