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| 赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4电子结构和光学性质 | |
| 引用本文： | 徐明,王松有,陈良尧.赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4电子结构和光学性质[J].激光与光电子学进展,2007,44(2):30-30. |
| 作者姓名： | 徐明 王松有 陈良尧 |
| 作者单位： | 复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室,上海,200433;复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室,上海,200433;复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室,上海,200433 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 浦江人才计划 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质.结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数.研究结果为这类材料的应用提供了理论依据. |
| 关 键 词： | IVA族磷化物 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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