| 传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响（英文） |
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| 引用本文： | 王倩,徐江涛,高志远,陈全民.传输栅掺杂对CMOS有源像素满阱容量及暗电流的影响（英文）[J].光子学报,2022(11):304-311. |
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| 作者姓名： | 王倩 徐江涛 高志远 陈全民 |
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| 作者单位： | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室 |
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| 基金项目： | National Key Research and Development Program of China(No. 2019YFB2204302)； |
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| 摘 要： | 研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加，feedforward效应被抑制，满阱容量增加。另一方面，处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真，结果表明，在曝光期间不加负栅压的情况下，基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%，其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时，N+TG的开启电压需高于2.3 V，而P+TG的开启电压需高于3.0 V。
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| 关 键 词： | 图像传感器 CMOS有源像素 仿真 光电二极管 满阱容量 暗电流 电荷转移效率 |
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