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Eu3+,Tm3+共掺GaN薄膜的发光特性和能量传递机制
引用本文:王丹,夏永禄,王晓丹,陈华军,陈家凡,毛红敏,曾雄辉,徐科.Eu3+,Tm3+共掺GaN薄膜的发光特性和能量传递机制[J].光子学报,2022(9):146-154.
作者姓名:王丹  夏永禄  王晓丹  陈华军  陈家凡  毛红敏  曾雄辉  徐科
作者单位:1. 苏州科技大学物理科学与技术学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室;2. 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
基金项目:国家自然科学基金(Nos.61974158,61306004);;江苏省自然科学基金(No.BK20191456);;江苏省“十三五”重点学科(No.20168765);
摘    要:采用离子注入的方法制备了Eu3+,Tm3+离子共掺杂GaN薄膜。通过温度依赖光致发光光谱研究了GaN:Eu3+薄膜中Eu3+的发光特性,发现了三类具有不同温度依赖特性的Eu3+发射峰。利用阴极荧光光谱探究了GaN:Eu3+,Tm3+薄膜的光谱性质,发现随着Tm3+剂量的增加,Eu3+发射强度以及Tm3+的I480/I806强度比值均发生降低,分析表明存在Eu3+→Tm3+离子的能量传递,并通过计算分析证明其能量传递机制主要为电偶极子-电偶极子相互作用。通过改变Eu3+、Tm3+离子在GaN薄膜中的剂量比例,实现了材料发光颜色的有效调控。

关 键 词:光电子  光致发光  阴极荧光  氮化镓      能量传递
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