| 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响 |
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| 作者姓名： | 杨帅 汤晓燕 张玉明 宋庆文 张义门 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件实验室, 西安 710071;2. 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院, 西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61274079,61176070);陕西省自然科学基金(批准号:2013JQ8012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20130203120017,20110203110010);教育部重大专项(批准号:625010101)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | Si C半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET)相对于常规VDMOSFET在相同导通电阻下具有更大击穿电压.在N型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P柱是制造Si C半超结VDMOSFET的关键工艺.本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-Si C超结和半超结VDMOSFET击穿电压的影响,在电荷失配程度为30%时出现半超结VDMOSFET的最大击穿电压.在本文的器件参数下,P柱浓度偏差导致击穿电压降低15%时,半超结VDMOSFET柱区浓度偏差范围相对于超结VDMOSFET可提高69.5%,这意味着半超结VDMOSFET对柱区离子注入的控制要求更低,工艺制造难度更低.
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| 关 键 词： | SiC 半超结 电荷失配 |
| 收稿时间： | 2014-04-13 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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