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| 应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究 | |
| 引用本文： | 钱家骏,徐波,陈涌海,叶小玲,韩勤,王占国.应变自组装InAs／GaAs量子点材料与器件光学性质研究[J].半导体学报,2003,24(5):51-55. |
| 作者姓名： | 钱家骏 徐波 陈涌海 叶小玲 韩勤 王占国 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心，北京100083 |
| 摘 要： | 采用MBE技术生长应变自组装InAs／GaAs量子点微结构材料，以这种纳米尺度微结构材料作有源层制备出激光二极管，研究了材料的光致发光和器件电致发光的特性，条宽为100μm、腔长为1.6mm，腔面未经镀膜的量子点激光二极管，室温下最大光功率输出为2．74W。 |
| 关 键 词： | 应变自组装量子点 电致发光谱 InAs量子点结构 量子点激光器 MBE生长 |
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