| 脉冲偏压及退火处理对电弧离子镀N掺杂TiO_2薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 张淑娟,黎响,陈文亮,欧炳蔚,李明升. 脉冲偏压及退火处理对电弧离子镀N掺杂TiO_2薄膜结构和性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 张淑娟 黎响 陈文亮 欧炳蔚 李明升 |
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| 作者单位： | 江西科技师范学院江西省材料表面工程重点实验室; |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金项目(No.GJJ08365) |
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| 摘 要： | 本文利用电弧离子镀技术,施加不同脉冲偏压,在玻璃基体上沉积了N掺杂TiO2薄膜。研究了基体偏压和热处理对薄膜结构、光吸收性能及光催化降解甲基橙的反应活性。结果表明:随脉冲偏压的提高,薄膜相结构先由锐钛矿向非晶转变然后向锐钛矿和金红石的混合相转变,吸收边先红移后蓝移,透明度先下降后升高。400℃下退火4 h,薄膜结晶形貌更加明显,吸收边进一步红移,透明度提高。原始薄膜和退火后的薄膜都具有高的紫外光催化活性。可见光下经过退火的-300V偏压下制备的薄膜具有最好的光催化活性。
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| 关 键 词： | 电弧离子镀 N掺杂TiO2 脉冲偏压 退火处理 结构和性能 |
Effect of Pulsed Bias and Post-annealing on Structure and Performance of N-doped TiO_2 Films Deposited by Arc Ion Plating |
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| ZHANG Shu-juan,LI Xiang,CHEN Wen-liang,OU Bing-wei,LI Ming-sheng. Effect of Pulsed Bias and Post-annealing on Structure and Performance of N-doped TiO_2 Films Deposited by Arc Ion Plating[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2009, 0(Z1) |
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| Authors: | ZHANG Shu-juan LI Xiang CHEN Wen-liang OU Bing-wei LI Ming-sheng |
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| Affiliation: | Jiangxi Key Laboratory for Surface Engineering;Jiangxi Normal University of Science and Technology;Nanchang 330013;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | arc ion plating N-doped TiO2 pulsed bias annealing structure and performance |
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