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突变结构的复合腔高频场研究
引用本文:杨仕文,李宏福.突变结构的复合腔高频场研究[J].电子学报,1997,25(12):40-44.
作者姓名:杨仕文  李宏福
作者单位:电子科技大学高能电子学研究所
摘    要:从模式场匹配理论出发系统地研究了回旋管中过渡突变这一类复合腔的高频场结构,并考虑了TM型寄生模式的影响。研究了诸多因素的变化对谐频率、Q值以及轴向场分布的影响。

关 键 词:波层突变  复合腔  回旋管  微波电子管
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