| 0.65 V 3 mW CMOS低噪声放大器设计 |
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| 引用本文： | 殷蔚. 0.65 V 3 mW CMOS低噪声放大器设计[J]. 现代电子技术, 2007, 30(15): 104-106 |
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| 作者姓名： | 殷蔚 |
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| 作者单位： | 岳阳职业技术学院,湖南,岳阳,414000;湖南大学,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 给出了工作电压为0.65 V,功耗仅为3 mW的低噪声放大器设计。设计采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺完成。最终的电路仿真结果显示,在0.65 V的电源电压下,S21达到17 dB,S11小于-11 dB,噪声系数小于2.2 dB,线性度指标IIP3为-11.6 dBm。
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| 关 键 词： | 低电压 低功耗 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1004-373X（2007）15-104-03 |
| 收稿时间： | 2007-01-30 |
| 修稿时间： | 2007-01-30 |
Design of 0.65 V 3 mW CMOS LNA |
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| YIN Wei. Design of 0.65 V 3 mW CMOS LNA[J]. Modern Electronic Technique, 2007, 30(15): 104-106 |
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| Authors: | YIN Wei |
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| Affiliation: | Yueyang Vocational Technical College, Yueyang, 414000, China; 2. Hunan University, Changsha, 410082, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS |
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