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| InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列 | |
| 引用本文： | 辛国锋,花吉珍,陈国鹰,康志龙,冯荣珠,安振峰.InGaAs／AlGaAs 941 nm高功率半导体激光二极管阵列[J].光电子．激光,2003,14(7):698-700. |
| 作者姓名： | 辛国锋 花吉珍 陈国鹰 康志龙 冯荣珠 安振峰 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130;中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051 2. 中国电子科技集团公司电子第十三研究所光电专业部,河北,石家庄,050051 3. 河北工业大学信息工程学院微电子所,天津,300130 |
| 摘 要： | 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs／GaAs／AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器线阵的峰值波长为941nm，光谱的半高全宽(FWHM)为3．3nm，在400μs、50Hz的输入电流下，输出峰值功率达到67．9W，斜率效率高达0．85W／A(64％)。 |
| 关 键 词： | 金属有机化合物气相淀积 MOCVD 半导体激光器 分别限制结构 单量子阱 激光二极管 |
| 文章编号： | 1005-0086(2003)07-0698-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月23 |
InGaAs/AlGaAs 941 nm High Output Power Semiconductor Laser Diode Arrays |
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| Abstract: | |
| Keywords: | metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) semiconductor laser array separated confinement heterostructure single quantum well |
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