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| 双异质结激光器的Auger复合分析 | |
| 引用本文： | 夏瑞东 庄蔚华. 双异质结激光器的Auger复合分析[J]. 电子学报, 1995, 23(8): 112-115 |
| 作者姓名： | 夏瑞东 庄蔚华 |
| 作者单位： | 首都师范大学物理系，中国科学院半导体所 |
| 摘 要： | 本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。 |
| 关 键 词： | 双异质结激光器 漏泄 发光带 Auger复合 |
The Auger Compound Analysis of DH Laser |
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| Xia Ruidong,Chang Yue. The Auger Compound Analysis of DH Laser[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, 23(8): 112-115 | |
| Authors: | Xia Ruidong Chang Yue |
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| Keywords: | |
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