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非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究
引用本文:孙杰,刘保亭,陈江恩,娄建忠,周阳. 非晶Ni-Al阻挡层对快速退火制备的硅基Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及物性影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(2): 318-323
作者姓名:孙杰  刘保亭  陈江恩  娄建忠  周阳
作者单位:河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002;河北大学物理科学与技术学院,保定,071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002
基金项目:国家自然科学基金,河北省自然科学基金,教育部科学技术研究重点项目,河北省应用基础研究计划重点基础研究项目,河北省教育厅科学研究计划,河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划,河北大学博士基金 
摘    要:应用非晶Ni-Al薄膜作为扩散阻挡层,采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了Pt/Ni-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ni-Al/Pt电容器结构,研究了在650~800 ℃温度范围内快速退火(RTA)工艺对电容器结构和物理性能的影响.结果表明:在外加电场为-100 kV/cm时,700 ℃和750 ℃退火样品的介电常数达到最大,分别为150和170.非晶Ni-Al薄膜的应用可以有效地降低BST薄膜的漏电流密度.650 ℃退火样品在整个测试电场范围内满足欧姆导电机制;700 ℃、750 ℃和800 ℃退火样品分别在电压低于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足欧姆导电机制,在电压高于-3.67 V、-2.65 V和-2.14 V时满足普尔-弗兰克导电机制.

关 键 词:BST薄膜  非晶Ni-Al阻挡层  快速退火  导电机制,

Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing
SUN Jie,LIU Bao-ting,CHEN Jiang-en,LOU Jian-zhong,ZHOU Yang. Impacts of Amorphous Ni-Al Barrier Layer on the Structure and Physical Properties of Si-based Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3 Film Annealed by Rapid Thermal Annealing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(2): 318-323
Authors:SUN Jie  LIU Bao-ting  CHEN Jiang-en  LOU Jian-zhong  ZHOU Yang
Affiliation:SUN Jie1,2,LIU Bao-ting1,CHEN Jiang-en2,LOU Jian-zhong2,ZHOU Yang1(1.College of Physics Science , Technology,Hebei University,Baoding 071002,China,2.College of Electronic , Information Engineering,China)
Abstract:
Keywords:BST thin films  amorphous Ni-Al barrier layer  RTA  conduction mechanism  
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