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| 影响KNSBN∶Cu晶体中全息光栅读取时间长短的因素 | |
| 作者姓名： | 胡居广 姚建铨 阮双琛 |
| 作者单位： | 天津大学精仪学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;深圳大学师范学院物理系,深圳,518060;天津大学精仪学院激光与光电子研究所,教育部光电信息技术科学重点实验室,天津,300072;深圳大学工程技术学院,深圳,518060 |
| 基金项目： | 天津市光电子联合研究中心资助项目，国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 系统分析了掺铜钾钠铌酸锶钡(KNSBN∶ Cu)晶体中全息光栅的读取过程,发现全息光栅读取时间的长短与读取光的强度以及样品的温度有关,实验表明,温度为50℃读取时间约为95℃时的2倍;读取光强为1.8 mW时的读取时间为38 mW时的6倍,而且在实验范围内,读取时间和写入时间近似为线性关系. |
| 关 键 词： | 全息光栅 读取时间 温度 光强 |
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