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| 埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光 | |
| 作者姓名： | 王印月 杨映虎 郭永平 甘润今 何源 薛华 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系，北京机械工业学院基础部 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金 |
| 摘 要： | 用射频共溅射技术和真空退火方法，制备出埋入ＳｉＯ２基质中纳米Ｇｅ的复合膜（ｎｃＧｅ／ＳｉＯ２），通过喇曼散射、Ｘ射线衍射、室温光致发光（ＰＬ）、紫外可见光近红外吸收及电导温度关系等测量手段，较系统地研究了该复合膜的光学、电学、薄膜结构和光致发光性质，在室温情况下得到了有多个弱峰的、不对称的宽带ＰＬ谱，主峰能量约为２０５ｅＶ，这一结果同量子限制效应符合 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |