| 大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究 |
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| 引用本文： | 卢文壮,左敦稳,王珉,黎向锋,徐锋,褚向前.大面积B掺杂CVD金刚石膜的制备研究[J].人工晶体学报,2004,33(5):726-730. |
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| 作者姓名： | 卢文壮 左敦稳 王珉 黎向锋 徐锋 褚向前 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学机电学院,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.50075039) |
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| 摘 要： | 研究了采用B2O3作为掺杂源以EACVD法沉积大面积掺杂CVD金刚石膜,用SEM、Raman、二次离子质谱仪、四探针电阻仪等对B掺杂金刚石膜进行了分析.结果表明直径达100mm的大面积B掺杂金刚石膜的晶粒分布均匀,非金刚石碳含量较少,生长速率达到10μm/h以上;B掺杂改变了金刚石膜的成分和结构,高浓度掺杂可以细化晶粒,在高浓度掺杂的膜中存在一定的非晶态碳;金刚石膜中B的含量在一定范围内随着掺杂源浓度的增加而正比增加;金刚石膜的电阻率随着掺杂源B2O3的浓度的增加而下降,当掺杂达到一定浓度时,金刚石膜的电阻率逐渐趋向稳定.
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| 关 键 词： | CVD金刚石 B掺杂 性能 大面积 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)05-0726-05 |
Large Area Deposition of B-doped CVD Diamond Film |
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| LU Wen-zhuang,ZUO Dun-wen,WANG Min,LI Xiang-feng,XU Feng,ZHU Xiang-qian.Large Area Deposition of B-doped CVD Diamond Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(5):726-730. |
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| Authors: | LU Wen-zhuang ZUO Dun-wen WANG Min LI Xiang-feng XU Feng ZHU Xiang-qian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CVD diamond film B-doped property larger area |
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