| 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数 |
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| 引用本文： | 牟维兵,陈盘训. 用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数[J]. 物理学报, 2001, 50(2): 189-192 |
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| 作者姓名： | 牟维兵 陈盘训 |
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| 作者单位： | (1)中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳919信箱522分箱,绵阳621900; (2)中国工程物理研究院西南核物理与化学研究所,绵阳919信箱213分箱,绵阳621900 |
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| 摘 要： | 当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强.介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特-卡洛程序计算了钨-硅、钽-硅、钨-二氧化硅和钽-二氧化硅界面的剂量增强系数.关键词：X射线界面辐射损伤剂量增强系数
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| 关 键 词： | X射线 界面 辐射损伤 剂量增强系数 |
| 文章编号： | 1000-3290/2001/50(02)/0189-04 |
| 收稿时间： | 2000-05-15 |
| 修稿时间： | 2000-05-15 |
MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE |
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| MU Wei-bing,CHEN PAN-XUN. MONTE-CARLO CALCULATION OF X-RAY DOSE ENHANCEMENT FACTOR NEARBY HIGH Z METAL CONNECTED INTERFACE[J]. Acta Physica Sinica, 2001, 50(2): 189-192 |
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| Authors: | MU Wei-bing CHEN PAN-XUN |
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| Abstract: | The dose would be enhanced on the low| Z material side when X|ray enters the interface constructed with two different materials.The mechanism of dose enhancement has been discussed and the Dose Enhancement Factors of W|Si,W|SiO 2,Ta|Si and Ta|SiO 2 interfaces are calculated by the Monte|Carlo method. |
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| Keywords: | X-ray interface radiation impairment dose-enhancement-factor |
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