| 集成电路Cu互连线的XRD研究 |
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| 引用本文： | 徐赛生,曾磊,张立锋,顾晓清,张卫,汪礼康.集成电路Cu互连线的XRD研究[J].半导体技术,2008,33(11). |
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| 作者姓名： | 徐赛生 曾磊 张立锋 顾晓清 张卫 汪礼康 |
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| 作者单位： | 复旦大学,微电子学系,复旦-诺发互连研究中心,上海,200433;复旦大学,微电子学系,复旦-诺发互连研究中心,上海,200433;罗门哈斯电子材料(上海)有限公司,上海,200233 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市科委资助项目 |
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| 摘 要： | 对硫酸盐体系中电镀得到的Cu镀层,使用XBD研究不同电沉积条件、不同衬底和不同厚度镀层的织构情况和择优取向.对比了直流电镀和脉冲电镀在有添加剂和无添加剂条件下的织构情况.实验结果表明,对于在各种条件下获得的1 μm Cu镀层,均呈现(111)晶面择优,这样的镀层在集成电路Cu互连线中有较好的抗电迁移性能.
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| 关 键 词： | 铜互连 X射线衍射 织构系数 择优取向 添加剂 |
XRD Study on Cu Layer in IC Interconnect |
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| Xu Saisheng,Zeng Lei,Zhang Lifeng,Gu Xiaoqing,Zhang Wei,Wang Likang.XRD Study on Cu Layer in IC Interconnect[J].Semiconductor Technology,2008,33(11). |
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| Authors: | Xu Saisheng Zeng Lei Zhang Lifeng Gu Xiaoqing Zhang Wei Wang Likang |
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| Institution: | Xu Saisheng1,Zeng Lei1,2,Zhang Lifeng1,Gu Xiaoqing1,Zhang Wei1,Wang Likang1(1.Fudan-Novellus Interconnect Research Center,School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai200433,China,2.ROHM&HAAS Electronic Materials(Shanghai) Limited Company,Shanghai 200233,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper interconnect XRD texture coefficient preferred orientation additive |
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