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La3Ga5SiO14晶体极图及应用
引用本文:雷波,胡少勤,蔡华林.La3Ga5SiO14晶体极图及应用[J].压电与声光,2002,24(6):473-475.
作者姓名:雷波  胡少勤  蔡华林
作者单位:四川压电与声光技术研究所,重庆,400060
摘    要:介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体标准极图的各个(ok·l)面满足晶体本身不消光条件,可直观、方便地计算出La3Ga5SiO14晶体的旋转角度和方向。

关 键 词:La3Ga5SiO14晶体  极图  应用  切型  压电材料  三六晶系  LGS晶体
文章编号:1004-2474(2002)06-0473-03
修稿时间:2002年5月14日

Polar Diagram of LGS Crystal and its Application
Abstract:
Keywords:
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