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Détermination précise des diagrammes de phase des composés binaires GaP−GaAs−InP en vue de leur utilisation en épitaxie
Authors:N Sol  J-P Clariou  NT Linh  M Moulin
Institution:Laboratoire Central de Recherches Thomson-CSF, Domaine de Corbeville, 91401 Orsay, France
Abstract:
Keywords:
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