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用联合谱仪方法观察~3S_1态电子偶素在气凝硅胶中的湮没
引用本文:张天保,王蕴玉,张长春,王少阶.用联合谱仪方法观察~3S_1态电子偶素在气凝硅胶中的湮没[J].中国物理 C,1983(1).
作者姓名:张天保  王蕴玉  张长春  王少阶
作者单位:中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,中国科学院高能物理研究所,武汉大学
摘    要:用具有时间选择功能的Ge能谱仪(即联合谱仪)观察了气凝硅胶中~3S_1电子偶素(o-P_s)的产额和湮没辐射的能谱,认为电子偶素在气凝硅胶超细微粒中的产生和湮没基本上符合扩散模型,但微粒表面的作用也不可忽略;比较正电子在微粒中的自由湮没和长寿命o-P_s的曳离(pick-off)所产生的多普勒加宽谱,表明后一过程具有较低的湮没动量。

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