| 弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响 |
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| 引用本文： | 毕文刚,李爱珍.弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响[J].半导体学报,1992,13(6):359-366. |
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| 作者姓名： | 毕文刚 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海冶金研究所 上海200050 半导体超晶格国家重点实验室，北京100083，上海200050 半导体超晶格国家重点实验室，北京100083 |
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| 摘 要： | 本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.
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