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| 不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究 | |
| 引用本文： | 何业冶,崔长庚,郭树权,赵忠贤.不同基片温度下溅射的Nb_3Ge膜性能的研究[J].低温物理学报,1983(2). |
| 作者姓名： | 何业冶 崔长庚 郭树权 赵忠贤 |
| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 (何业冶，崔长庚，郭树权)，中国科学院物理研究所(赵忠贤) |
| 摘 要： | 本工作研究了仅改变基片温度而其它条件不变的溅射Nb_3Ge膜的性能.通过对样品的Tc、H_(c2)(T)、R(T)的测量,给出在一定条件下基片温度与溅射Nb_3Ge膜的Tc及H_(C2)(0)的关系.发现:存在一生成高Tc、高H_(c2)(0) Nb_3Ge薄膜的最佳温区(800—810℃);△Tc随磁场增加而展宽;溅射Nb_3Ge膜的电阻率ρ(T)在Tc(?)T<65K温区中服从:ρ(T)=α bT~2规律,且与基片温度无关. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |