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| 日电研制X波段自对准栅增强型InP MISFET | |
| 引用本文： | 张弛.日电研制X波段自对准栅增强型InP MISFET[J].微纳电子技术,1982(6). |
| 作者姓名： | 张弛 |
| 摘 要： | <正> 日本电气公司研制成功一种可工作在X波段的自对准栅增强型InP MISFET,并在七月份召开的电子通信学会电子器件研究会上发表了其详细结果。器件的制作过程如下。在掺铁的半绝缘InP衬底上生成n~+外延层之后,再生长作掩模用的SiO_2层(用作腐蚀沟道掩模,并自对准地形成金属栅,接着腐蚀除去n~+层。其次,形成Ni/Au-Ge源和漏欧姆电极以及CVDSiO_2栅绝缘膜,在上面蒸发栅电极金属铝,并腐蚀除去栅以外部分的铝,最后开源和漏的接触窗口,作Au/Pt/Ti键合点。器件的沟长约为0.8μm, |
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