新型SOI基3×3多模干涉波导光开关的优化设计 |
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作者姓名: | 贾晓玲 高凡 张峰 |
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作者单位: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室,上海,200050 |
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摘 要: | 提出了一种基于SOI材料的新型3×3多模干涉(MMI)波导光开关,在开关的多模波导中引入折射率调制区,利用硅的等离子色散效应改变多模波导局部区域的折射率,使得光场在传输过程中的相位发生变化,进而确定输出光场位置,实现开关功能。采用有限差分光束传播法(FD-BPM)方法对开关的各个状态进行了模拟和分析,并对器件的结构参量进行了优化设计,采用优化后的结构参量,开关可实现的最大消光比达到-17.27 dB。
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关 键 词: | 集成光学 多模干涉耦合器 光开关 SOI 全光网络 |
收稿时间: | 2004-11-17 |
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