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杂志ISSN号
全反射x荧光分析及其应用
作者姓名:
王瑞光 谭继廉
摘 要:
近年来,全反射X荧光分析技术获得突破性进展,从表面及近表层微量、超微量元素分析发展结构、深度及深度分布的探测。其检测限已达pg级,硅片杂质检测限达10^8atoms/cm^2。文章介绍了该技术的基本理论、特点、国内外最新发展情况及对其今后发展的展望。
关 键 词:
全反射 微量分析 X荧光分析
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