全反射x荧光分析及其应用

近年来，全反射Ｘ荧光分析技术获得突破性进展，从表面及近表层微量、超微量元素分析发展结构、深度及深度分布的探测。其检测限已达ｐｇ级，硅片杂质检测限达１０＾８ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾２。文章介绍了该技术的基本理论、特点、国内外最新发展情况及对其今后发展的展望。